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Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Name: Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering
Brand: Taylor & Francis Inc
SKU: 06708163
Price: 178.29 EUR
Availability: InStock
Author: Hei Wong
ISBN: 9781439849590

Hei Wong

Sprache

Englisch

Buch Hardcover

Libristo-Code: 06708163

Verlag Taylor & Francis Inc, November 2011

Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric mater... Vollständige Beschreibung

Libristo-Code: 06708163

436 b

178.29 € inkl. MwSt.

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Covering the physics, materials, devices, and fabrication processes for high-k gate dielectric materials, this text systematically describes how the fundamental electronic structures and other material properties of the transition and rare earth metals affect the electrical properties of the dielectric films, the dielectric/silicon and the dielectric/metal gate interfaces, and the resulting device properties. Specific topics include the problems and solutions encountered with high-k material thermal stability, defect density, and poor initial interface with silicon substrate. The text also addresses the essence of thin film deposition, etching, and process integration of high-k materials in an actual CMOS process.

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Informationen zum Buch

Vollständiger Name Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering

Autor Hei Wong

Sprache

Englisch

Einband Buch - Hardcover

Datum der Veröffentlichung 2011

Anzahl der Seiten 248

EAN 9781439849590

ISBN 9781439849590

Libristo-Code 06708163

Verlag Taylor & Francis Inc

Gewicht 500

Abmessungen 163 x 242 x 20

Kategorie

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Elektronik, Nachrichtentechnik > Elektronik > Elektronische Geräte und Materialien

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Maschinenbau und Werkstoffe > Materialwissenschaft

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