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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Sprache EnglischEnglisch
Buch Hardcover
Buch Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design Koichiro Ishibashi
Libristo-Code: 01657531
Verlag Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG, August 2011
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the succes... Vollständige Beschreibung
? points 249 b
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Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

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Informationen zum Buch

Vollständiger Name Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Autor Koichiro Ishibashi, Kenichi Osada
Sprache Englisch
Einband Buch - Hardcover
Datum der Veröffentlichung 2011
Anzahl der Seiten 144
EAN 9783642195679
ISBN 3642195679
Libristo-Code 01657531
Verlag Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Gewicht 407
Abmessungen 155 x 235 x 13

Kategorie

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Elektronik, Nachrichtentechnik > Elektronik > Elektronische Geräte und Materialien
Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Technologie, allgemein > Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein
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