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Leakage currents in MOS transistor

Name: Leakage currents in MOS transistor
Brand: LAP Lambert Academic Publishing
SKU: 16426638
Price: 27.99 EUR
Availability: InStock
Author: P. K. Bikki
ISBN: 9783659891656

P. K. Bikki

P. Karuppanan

Sprache

Englisch

Buch Broschur

Libristo-Code: 16426638

Verlag LAP Lambert Academic Publishing, November 2016

In order to bring the classification of leakage minimization approaches, analyzed based on their fun... Vollständige Beschreibung

Libristo-Code: 16426638

69 b

27.99 € inkl. MwSt.

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In order to bring the classification of leakage minimization approaches, analyzed based on their fundamental design and mechanism, such as biasing technique, power gating, and multi-threshold techniques. A brief summary of different leakage control schemes with their merits and demerits along with the limitations by using these schemes are presented. In this survey, origins of leakage currents in a short-channel device and various leakage control techniques for ultra-low power SRAM design are discussed. The rest of the book chapter is organized as follows. In section 2 presents the origin of leakage current in a short-channel device. Various biasing techniques for leakage control SRAM are discussed in section 3. Emerging power gating techniques for low power SRAM designs are presented in section 4. Asymmetrical SRAM designs with multi-threshold transistor are described and comparisons of various low power techniques are tabulated in section 5. Finally, the survey chapter concludes in section 6.

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Informationen zum Buch

Vollständiger Name Leakage currents in MOS transistor

Autor P. K. Bikki, P. Karuppanan

Sprache

Englisch

Einband Buch - Broschur

Datum der Veröffentlichung 2017

Anzahl der Seiten 52

EAN 9783659891656

Libristo-Code 16426638

Verlag LAP Lambert Academic Publishing

Gewicht 96

Abmessungen 150 x 220 x 3

Kategorie

Technologie, Ingenieurswissenschaft, Landwirtschaft, Industrieprozesse > Energietechnik, Elektrotechnik und Energiemaschinenbau > Elektrotechnik

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