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Couplage Excitons-Lumi re Dans Des H t rostructures En Gan Et Zno
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Les semi-conducteurs ŕ grand gap sont utilisés pour fabrication d'émetteurs de lumičre dans le domaine spectrale UV-VIS. Matériaux comme GaN et ZnO présentent des propriétés excitoniques spéciales: la force d'oscillateur est élevée et l'énergie de liaison des excitons est grande. Due ŕ l'élargissement inhomogčne des excitons assez important dans les hétérostructures, les résonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et imprécise l'extraction de leur paramčtres. Ce travail est consacré ŕ l'étude théorique et expérimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, basée sur l'analyse de leurs spectres de réflectivité. Une technique d'analyse originale des spectres de réflectivité expérimentaux a été développée et employée pour la détermination de la force d'oscillateur des excitons dans les structures ŕ base de GaN et ZnO. Les paramčtres obtenus ont été utilisés pour proposer des microcavités modčles, réalisées ŕ base de ces matériaux. Grâce au régime de couplage fort exciton-lumičre dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavités est possible jusqu'ŕ la température ambiante.
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